-
1 turn-on delay time
- время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
- время задержки включения полевого транзистора
- время задержки включения оптоэлектронного переключателя
время задержки выключения оптоэлектронного переключателя
время задержки выключения
t0,1зд
tDLN
Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе оптоэлектронного переключателя от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,9 или на заданных значениях напряжения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
время задержки включения полевого транзистора
время задержки включения
Интервал времени между 10%-ным значением амплитуды фронта входного импульса, включающего полевой транзистор, и 10%-ным значением амплитуды фронта выходного импульса.
Обозначение
tзд.вкл
td(on)
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
время задержки при включении
tзд.из
td
Интервал времени между 10% значения импульса тока и 10% значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
29. Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
Время задержки при включении
Turn-on delay time
tзд.из
Интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
83. Время задержки включения оптоэлектронного переключателя
Время задержки включения
Turn-on delay time
t1и0зд
Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе оптоэлектронного переключателя от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,1 или на заданных значениях напряжения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > turn-on delay time
-
2 fall time
- время среза (заднего фронта) импульса
- время спада сигнала интегральной микросхемы
- время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
- время спада для полевого транзистора
- время спада для биполярного транзистора
- время спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
- время спада
время спада
время затухания
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
Синонимы
EN
время спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
время спада
tсп
tf
Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 90 до 10% своего максимального значения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
- параметры оптопар, оптоэлектронных коммутаторов и оптоэлектронных переключателей
Синонимы
EN
время спада для биполярного транзистора
Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 20003-74]Тематики
EN
DE
FR
время спада для полевого транзистора
время спада
Интервал времени между 90%-ным и 10%-ным значениями амплитуды среза выходного импульса при выключении транзистора.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 19095-73]Тематики
Синонимы
EN
DE
FR
время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
время спада импульса
tсп.из
tf
Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10% своего максимального значения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
время спада сигнала интегральной микросхемы
время спада сигнала
Интервал времени спада сигнала от уровня 0,9 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала.
Обозначение
tсп
tf
[ ГОСТ 19480-89]Тематики
Синонимы
EN
FR
время среза (заднего фронта) импульса
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
28. Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
Время спада импульса
Fall time
tсп.из
Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
49. Время спада выходного сигнала оптопары (оптоэлектронного коммутатора)
Время спада
Fall time
tсп
Интервал времени, в течение которого выходной сигнал оптопары (оптоэлектронного коммутатора) изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
39. Время спада для биполярного транзистора
D. Abfallzeit
E. Fall time
F. Temps de décroissance
tсп
Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90 % его амплитуды, до значения, соответствующего 10 % его амплитуды
Источник: ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > fall time
-
3 dynamic resistance
- резонансное сопротивление (параллельного колебательного контура)
- динамическое сопротивление прибора М-типа
- динамическое сопротивление полупроводникового излучателя
динамическое сопротивление полупроводникового излучателя
динамическое сопротивление
Rдин
RD
Значение сопротивления, определяемое по наклону прямой, аппроксимирующей вольт-амперную характеристику полупроводникового излучателя при заданном прямом токе.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
динамическое сопротивление прибора М-типа
динамическое сопротивление
RД
Отношение малого приращения напряжения анода к соответствующему приращению тока анода прибора М-типа, характеризующее наклон вольт-амперной характеристики в заданной рабочей точке.
[ ГОСТ 23769-79]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
резонансное сопротивление (параллельного колебательного контура)
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
24. Динамическое сопротивление полупроводникового излучателя
Динамическое сопротивление
Dynamic resistance
Rдин
Значение сопротивления, определяемое по наклону прямой, аппроксимирующей вольт-амперную характеристику полупроводникового излучателя при заданном прямом токе
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
233. Динамическое сопротивление прибора М-типа
Динамическое сопротивление
Dynamic resistance
Rд
Отношение малого приращения напряжения анода к соответствующему приращению тока анода прибора М-типа, характеризующее наклон вольтамперной характеристики в заданной рабочей точке
Источник: ГОСТ 23769-79: Приборы электронные и устройства защитные СВЧ. Термины, определения и буквенные обозначения оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > dynamic resistance
-
4 mechanical axis
геометрическая ось полупроводникового излучателя
геометрическая ось
Воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
11. Геометрическая ось полупроводникового излучателя
Геометрическая ось
Mechanical axis
-
Воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > mechanical axis
-
5 radiation diagram
- диаграмма направленности излучения полупроводникового излучателя
- диаграмма направленности излучения знакосинтезирующего индикатора
- диаграмма направленности
диаграмма направленности
—
[ http://www.iks-media.ru/glossary/index.html?glossid=2400324]Тематики
- электросвязь, основные понятия
EN
диаграмма направленности излучения (знакосинтезирующего индикатора)
График зависимости силы света, яркости или собственного яркостного контраста знакосинтезирующего индикатора от угла наблюдения.
[ ГОСТ 25066-91]Тематики
EN
диаграмма направленности излучения полупроводникового излучателя
диаграмма направленности излучения
Диаграмма, характеризующая пространственное распределение излучения от полупроводникового излучателя относительно его оптической оси.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
5. Диаграмма направленности излучения полупроводникового излучателя
Диаграмма направленности излучения
Radiation diagram
-
Диаграмма, характеризующая пространственное распределение излучения от полупроводникового излучателя относительно его оптической оси
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > radiation diagram
-
6 peak emission wavelength
длина волны максимума излучения полупроводникового излучателя
длина волны излучения
λmax
λp
Длина волны, соответствующая максимуму спектральной плотности потока излучения полупроводникового излучателя.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
7. Длина волны максимума излучения полупроводникового излучателя
Длина волны излучения
Peak emission wavelength
λmax
Длина волны, соответствующая максимуму спектральной плотности потока излучения полупроводникового излучателя
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > peak emission wavelength
-
7 maximum peak power
импульсная рассеиваемая мощность полупроводникового излучателя
импульсная рассеиваемая мощность
Ррас.и
PM
Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой полупроводниковым излучателем при подаче импульсов с заданной длительностью и скважностью.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
26. Импульсная рассеиваемая мощность полупроводникового излучателя
Импульсная рассеиваемая мощность
Maximum peak power
Ррас.и
Наибольшее мгновенное значение мощности, рассеиваемой полупроводниковым излучателем при подаче импульсов с заданной длительностью и скважностью
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > maximum peak power
-
8 maximum peak forward voltage
импульсное прямое напряжение полупроводникового излучателя
импульсное прямое напряжение
Uпр.и
UFM
Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения на полупроводниковом излучателе при заданном импульсном прямом токе.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
18. Импульсное прямое напряжение полупроводникового излучателя
Импульсное прямое напряжение
Maximum peak forward voltage
Uпр.и
Наибольшее мгновенное значение прямого напряжения на полупроводниковом излучателе при заданном импульсном прямом токе
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > maximum peak forward voltage
-
9 peak forward current
- импульсный прямой ток полупроводникового излучателя
- импульсный прямой ток диода
- импульсный прямой ток (элемента отображения информации полупроводникового знакосинтезирующего индикатора)
импульсный прямой ток (элемента отображения информации полупроводникового знакосинтезирующего индикатора)
Iпр.и (IFм)
Наибольшее мгновенное значение прямого тока, протекающего через элемент отображения информации полупроводникового знакосинтезирующего индикатора при заданной скважности и длительности импульса.
[ ГОСТ 25066-91]Тематики
EN
импульсный прямой ток диода
Iпр.и
IFM
Наибольшее мгновенное значение прямого тока диода, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
импульсный прямой ток полупроводникового излучателя
импульсный прямой ток
Iпр.и
IFM
Наибольшее мгновенное значение прямого тока, протекающего через полупроводниковый излучатель, при заданной скважности и длительности импульса.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
EN
8. Импульсный прямой ток диода
D. Spitzendurchlassstrom der Diode
E. Peak forward current
F. Courant direct de crête
Iпр.и
Наибольшее мгновенное значение прямого тока диода, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
14. Импульсный прямой ток полупроводникового излучателя
Импульсный прямой ток
Peak forward current
Iпр.и
Наибольшее мгновенное значение прямого тока, протекающего через полупроводниковый излучатель, при заданной скважности и длительности импульса
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > peak forward current
-
10 breakdown voltage
- пробивное напряжение диода
- пробивное "напряжение"
- напряжение пробоя полупроводникового излучателя
напряжение пробоя полупроводникового излучателя
напряжение пробоя
Uпроб
U(BR)
Значение обратного напряжения, вызывающего пробой перехода, при котором обратный ток через полупроводниковый излучатель превышает заданное значение.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
пробивное "напряжение"
напряжение пробоя
—
[А.С.Гольдберг. Англо-русский энергетический словарь. 2006 г.]Тематики
Синонимы
EN
пробивное напряжение диода
Uпроб, U(BR)
Значение обратного напряжения, вызывающее пробой перехода диода, при котором обратный ток достигает заданного значения.
[ ГОСТ 25529-82]Тематики
EN
DE
FR
D. Durchbruchspannung der Diode
E. Breakdown voltage
F. Tension de claquage
Uпроб
Значение обратного напряжения, вызывающее пробой перехода диода, при котором обратный ток достигает заданного значения
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
21. Напряжение пробоя полупроводникового излучателя
Напряжение пробоя
Breakdown voltage
Uпроб
Значение обратного напряжения, вызывающего пробой перехода, при котором обратный ток через полупроводниковый излучатель превышает заданное значение
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > breakdown voltage
-
11 total capacitance
общая (электрическая) ёмкость
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
общая емкость полупроводникового излучателя
общая емкость
C
Ctot
Значение емкости между выводами полупроводникового излучателя при заданных напряжении смещения и частоте.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
общая емкость тиристора
Емкость между основными выводами при заданном напряжении в закрытом состоянии тиристора.
Обозначение
Cобщ
Ctot
[ ГОСТ 20332-84]Тематики
EN
FR
E. Total capacitance
F. Capacité totale
Cобщ
Емкость между основными выводами при заданном напряжении в закрытом состоянии тиристора
Источник: ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
22. Общая емкость полупроводникового излучателя
Общая емкость
Total capacitance
C
Значение емкости между выводами полупроводникового излучателя при заданных напряжении смещения и частоте
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > total capacitance
-
12 optical axis
оптическая ось
Общая ось вращения поверхностей, составляющих центрированную оптическую систему.
[ ГОСТ 7427-76]Тематики
- оптика, оптические приборы и измерения
EN
DE
FR
оптическая ось полупроводникового излучателя
оптическая ось
Линия, по отношению к которой отцентрирована диаграмма направленности полупроводникового излучателя.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
10. Оптическая ось полупроводникового излучателя
Оптическая ось
Optical axis
-
Линия, по отношению к которой отцентрирована диаграмма направленности полупроводникового излучателя
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
3.5.2 оптическая ось (optical axis): Средняя линия оптического пути.
Примечание - В соответствии с ГОСТ 7427 оптическая ось - это общая ось вращения поверхностей, составляющих центрированную оптическую систему.
Источник: ГОСТ Р 52350.29.4-2011: Взрывоопасные среды. Часть 29-4. Газоанализаторы. Общие технические требования и методы испытаний газоанализаторов горючих газов с открытым оптическим каналом оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > optical axis
-
13 reverse continuous voltage
постоянное обратное напряжение полупроводникового излучателя
постоянное обратное напряжение
Uобр
UR
Значение постоянного напряжения, приложенного к полупроводниковому излучателю в обратном направлении.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
3. Постоянное обратное напряжение диода
D. Sperrgleichspannung der Diode
E. Reverse continuous voltage
F. Tension inverse continue
Uобр
-
Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
19. Постоянное обратное напряжение полупроводникового излучателя
Постоянное обратное напряжение
Reverse continuous voltage
Uобр
Значение постоянного напряжения, приложенного к полупроводниковому излучателю в обратном направлении
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > reverse continuous voltage
-
14 continuous (direct) forward voltage
- постоянный обратный ток полупроводникового излучателя
- Постоянное прямое напряжение полупроводникового излучателя
постоянный обратный ток полупроводникового излучателя
постоянный обратный ток
Iобр
IR
Значение постоянного тока, протекающего через полупроводниковый излучатель в обратном направлении при заданном обратном напряжении.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
17. Постоянное прямое напряжение полупроводникового излучателя
Постоянное прямое напряжение
Continuous (direct) forward voltage
Uпр
Значение постоянного напряжения на полупроводниковом излучателе при заданном постоянном прямом токе
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > continuous (direct) forward voltage
-
15 continuous (direct) forward current
постоянный прямой ток полупроводникового излучателя
постоянный прямой ток
Iпр
IF
Значение постоянного тока, протекающего через полупроводниковый излучатель в прямом направлении.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
13. Постоянный прямой ток полупроводникового излучателя
Постоянный прямой ток
Continuous (direct) forward current
Iпр
Значение постоянного тока, протекающего через полупроводниковый излучатель в прямом направлении
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > continuous (direct) forward current
-
16 forward voltage temperature coefficient
- температурный коэффициент прямого напряжения полупроводникового излучателя
температурный коэффициент прямого напряжения полупроводникового излучателя
температурный коэффициент прямого напряжения
αUпр
αUF
Отношение относительного изменения прямого напряжения полупроводникового излучателя к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
32. Температурный коэффициент прямого напряжения полупроводникового излучателя
Температурный коэффициент прямого напряжения
Forward voltage temperature coefficient
αUпр
Отношение относительного изменения прямого напряжения полупроводникового излучателя к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > forward voltage temperature coefficient
-
17 total thermal resistance
тепловое сопротивление полупроводникового излучателя
тепловое сопротивление
Rпер-кор
Rth-ja
Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры контрольной точки на корпусе полупроводникового излучателя к рассеиваемой мощности излучателя в установившемся режиме.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
31. Тепловое сопротивление полупроводникового излучателя
Тепловое сопротивление
Total thermal resistance
Rпер-кор
Отношение разности эффективной температуры перехода и температуры контрольной точки на корпусе полупроводникового излучателя к рассеиваемой мощности излучателя в установившемся режиме
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > total thermal resistance
-
18 half-intensity beam
угол излучения полупроводникового излучателя
угол излучения
е
Плоский угол, содержащий оптическую ось полупроводникового излучателя и образованный направлениями, в которых сила излучения больше или равна половине ее максимального значения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
6. Угол излучения полупроводникового излучателя
Угол излучения
Half-intensity beam
Θ
Плоский угол, содержащий оптическую ось полупроводникового излучателя и образованный направлениями, в которых сила излучения больше или равна половине ее максимального значения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > half-intensity beam
-
19 squinting angle
угол расхождения
σ
Угол между оптической и геометрической осями полупроводникового излучателя.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
EN
12. Угол расхождения
Squinting angle
σ
Угол между оптической и геометрической осями полупроводникового излучателя
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > squinting angle
-
20 spectral radiation bandwidth
- ширина спектра излучения полупроводникового излучателя
- ширина спектра излучений знакосинтезирующего индикатора
ширина спектра (излучений знакосинтезирующего индикатора)
Δλ0,5
Диапазон длин волн, в котором спектральная плотность светового потока знакосинтезирующего индикатора составляет не менее половины ее максимального значения.
[ ГОСТ 25066-91]Тематики
EN
ширина спектра излучения полупроводникового излучателя
ширина спектра
Δλ0,5
Δλ
Интервал длин волн, в котором спектральная плотность мощности излучения больше или равна половине ее максимального значения.
[ ГОСТ 27299-87]Тематики
Обобщающие термины
Синонимы
EN
8. Ширина спектра излучения полупроводникового излучателя
Ширина спектра
Spectral radiation bandwidth
Δλ0,5
Интервал длин волн, в котором спектральная плотность мощности излучения больше или равна половине ее максимального значения
Источник: ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > spectral radiation bandwidth
См. также в других словарях:
Поток излучения — ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ По ГОСТ 7601 Источник: ГОСТ 2729 … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ГОСТ 27299-87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров — Терминология ГОСТ 27299 87: Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа: 48. Время включения оптопары (оптоэлектронного коммутатора) Время включения Turn on time tвкл… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
поток — 3.6.14 поток (flow): Движение набора физических или информационных предметов во времени и пространстве. Источник … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя — время задержки при включении tзд.из td Интервал времени между 10% значения импульса тока и 10% значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов. [ГОСТ 27299 87] Тематики полупроводниковые приборы… … Справочник технического переводчика
время спада импульса излучения полупроводникового излучателя — время спада импульса tсп.из tf Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10% своего максимального значения. [ГОСТ 27299 87] Тематики полупроводниковые приборы Обобщающие термины… … Справочник технического переводчика
геометрическая ось полупроводникового излучателя — геометрическая ось Воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя. [ГОСТ 27299 87] Тематики полупроводниковые приборы Обобщающие термины параметры полупроводниковых излучателей Синонимы… … Справочник технического переводчика
диаграмма направленности излучения полупроводникового излучателя — диаграмма направленности излучения Диаграмма, характеризующая пространственное распределение излучения от полупроводникового излучателя относительно его оптической оси. [ГОСТ 27299 87] Тематики полупроводниковые приборы Обобщающие термины… … Справочник технического переводчика
динамическое сопротивление полупроводникового излучателя — динамическое сопротивление Rдин RD Значение сопротивления, определяемое по наклону прямой, аппроксимирующей вольт амперную характеристику полупроводникового излучателя при заданном прямом токе. [ГОСТ 27299 87] Тематики полупроводниковые приборы… … Справочник технического переводчика
длина волны максимума излучения полупроводникового излучателя — длина волны излучения λmax λp Длина волны, соответствующая максимуму спектральной плотности потока излучения полупроводникового излучателя. [ГОСТ 27299 87] Тематики полупроводниковые приборы Обобщающие термины параметры… … Справочник технического переводчика
длительность импульса излучения полупроводникового излучателя — длительность импульса излучения tимп Интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя больше или равна половине ее максимального значения. [ГОСТ 27299 87] Тематики полупроводниковые приборы Обобщающие термины… … Справочник технического переводчика
емкость перехода полупроводникового излучателя — емкость перехода Cпер Сj Значение емкости между выводами полупроводникового излучателя без емкости корпуса при заданных напряжении смещения и частоте. [ГОСТ 27299 87] Тематики полупроводниковые приборы Обобщающие термины параметры… … Справочник технического переводчика